陈俊芳，博士，1982年2月毕业于华中科技大学物理系,获学士学位.1992年5月于华中科技大学物理系硕士毕业,获硕士学位.1995年9月在中国科学院等离子体物理研究所获博士学位.1995年9月-1997年7月,在华南师范大学量子电子研究所博士后流动站从事博士后研究工作.1997年7月-现在,在物理与电信工程学院工作,教授,博士生导师,现任物理与电信工程学院副院长.从事低温等离子体产生和诊断技术及其应用的研究工作.应用低温等离子体技术制备纳米 SnO2气敏功能薄膜,用于二氧化氮,一氧化碳和氢气等有害易爆气体检测中;采用PECVD合成技术制备了氮化硅纳米超细粉体材料;在低沉积温度下(360℃左右)利用ECR-PECVD技术制备了具有发光效应的纳米晶态结构的氮化硅薄膜材料,并将这一材料应用于超高频大功率浅结晶体管的钝化膜中;开展了低温等离子体干法刻蚀技术的研究,对Ⅲ-Ⅳ族元素和硅器件及氧化硅进行了干法刻蚀研究;还利用ECR-PEMOCVD技术制备了晶态结构的GaN发光薄膜材料."低温等离子体诊断技术及PECVD制备薄膜材料的应用"获得广东省科学技术三等奖(第一完成人).近年来,指导博士研究生3人,一人已获得博士学位,指导硕士研究生16人,8人获得硕士学位.主持过国家自然科学基金,教育部高等学校博士学科点专项科研基金,广东省科技计划项目,广东省自然科学基金和广州市科技计划项目,获得和申请专利5项,发表论文60多篇,SCI,EI收录30多篇,参编教材2部.兼任华南师范大学国家级物理学实验教学示范中心主任,中国力学学会等离子体专业委员会委员,广东省物理学会副理事长,《Plasma science and technology》刊物编辑委员会编委,《物理学报》审稿人.
       研究方向:低温等离子体技术及应用。