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光诱导液相沉积Ni/Cu应用于晶硅电池栅线的制备
所属：书刊快递 日期：2014-05-06 点击次数：787 次
【作者】 宁婕妤；刘邦武；夏洋；李超波；
【机构】 中国科学院微电子研究所,微电子器件与集成技术重点实验室；
【摘要】 采用光诱导液相沉积(LIP)的方法制备了Ni、Cu薄膜,并进一步讨论了沉积温度等相关因素对薄膜成分与形貌的影响。采用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)、四探针测试仪等分别对薄膜的成分、形貌、电阻率、非均匀性等进行表征。结果显示,制备的Cu膜电阻率为1.87×10-8Ω•m,非均匀性为2.64%。此外,将制备的Ni/Cu工艺应用于制备晶硅电池的栅线电极,用I-V测试仪测试电池参数,填充因子高达77.8%。
【来源】 功能材料，2014.01.
粤公网安备 44010602001056号