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多晶硅太阳电池双层SiN_x镀膜工艺研究
所属：书刊快递 日期：2012-08-06 点击次数：1066 次
【作者】 周艺；欧衍聪；郭长春；肖斌；何文红；黄岳文；金井升；
【机构】 长沙理工大学化学学院； 湖南神州光电能源有限公司技术研发部；
【摘要】 采用PECVD法,通过优化工艺参数,创新性地在多晶硅表面沉积了双层SiNx膜,并对其少子寿命、反射率及电性能进行分析。结果表明,对比传统多晶硅太阳电池生产采用的单层SiNx镀膜工艺,本工艺可有效延长多晶硅少子寿命、增强光谱吸收、降低多晶硅的表面反射率,其电性能明显提高,中短路电流提高了100mA,光电转换效率提高了1.34%。
【期刊】 材料导报 2012年08期
粤公网安备 44010602001056号