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TiO2过渡层对Si基ZnO薄膜光致发光特性的影响
所属：书刊快递 日期：2012-07-03 点击次数：1047 次
【作者】 张伟英； 刘振中； 赵建果； 刘照军
【机构】 洛阳师范学院物理与电子信息学院； 洛阳市激光光谱技术重点实验室；
【摘要】 采用直流反应溅射法在Si(100)衬底上制备了有TiO2过渡层的ZnO薄膜,并与直接在Si上生长的样品进行比较。通过X射线衍射技术和光致发光谱等分别对ZnO薄膜的结构和光学性质进行测量和分析。测量结果表明,引入过渡层后ZnO薄膜的平均晶粒尺寸变大,晶粒间界变少,结晶质量提高,薄膜内的应力得到一定程度的释放。此外,室温光致发光谱表明过渡层使ZnO薄膜的紫外发射明显增强,并研究和分析了其微观机理。
【来源】 材料导报 2012.06.
粤公网安备 44010602001056号