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过渡金属掺杂ZnO稀磁半导体的发光特性
所属：书刊快递 日期：2011-02-22 点击次数：477 次
作 者： 徐明 胡志刚 吴艳南 周海平 徐禄祥 周勋
单 位：四川师范大学物理与电子工程学院固体物理研究所 贵州师范大学物理与电子科学学院
摘 要：ZnO是一种宽带隙Ⅱ-Ⅵ族半导体,具有良好的光电耦合特性和稳定性,在光、电、磁功能集成等新型器件方面可获得重要应用.近来的研究表明,过渡金属掺杂的ZnO基半导体有望成为实现高居里温度稀磁半导体的候选材料,是目前研究的热点.总结了近几年人们在Fe、Co、Ni、Cu、Mn等过渡金属掺杂的ZnO基稀磁半导体的发光特性研究结果,讨论了过渡金属掺杂后ZnO中观察到的可见发光机制,分析认为过渡金属掺杂ZnO的可见光发射主要与这些发光过渡金属引入后所产生的缺陷有关,而紫外发光峰的变化则与过渡金属掺入后ZnO晶体质量与禁带宽度的改变相关.
来源：材料导报 2010, 24(19)
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