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CdZnTe晶片4种化学钝化工艺效果的比较
所属：书刊快递 日期：2010-10-13 点击次数：979 次
【作者】：刘登峰; 李园园; 汪晓芹; 杨志远;
【单位】：西安科技大学化学与化工学院;
【摘要】：常用于X射线和γ射线探测器中的CdZnTe(CZT)晶片经机械抛光后表面存在损伤层和许多肉眼看不到的划痕,采用溴甲醇(Br2-CH3OH)腐蚀可有效去除损伤层和划痕,使表面变得光亮平整。但经Br2-CH3OH腐蚀的表面富Te而产生较大的表面漏电流,为此,采用H2O2溶液,NH4F/H2O2溶液,KOH-KCl溶液+NH4F/H2O2溶液二步法和溴水4种湿法化学钝化工艺,对CZT晶片表面进行了钝化处理,并对比了其钝化效果。结果表明:二步法钝化效果最好,表面漏电流降低4个数量级,NH4F/H2O2对CZT晶片表面的钝化效果较好,表面漏电流降低3个数量级。
【来源】：材料保护, 2010年05期
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