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ZnO纳米线的制备及场发射特性的研究进展
所属：书刊快递 日期：2010-02-08 点击次数：588 次
陈伟中; 王属霞; 贺叶露
重庆大学数理学院应用物理系
【摘要】：从ZnO纳米线的生长机制出发,重点讨论了催化剂在制备过程中的作用,比较了采用VLS和VS不同机制生长ZnO纳米线的优缺点,并结合二者特点发现采用金属自催化将是制备高质量ZnO纳米线阵列的一种有效方法。分析了几种有利于提高其场发射性能的后处理方法,经过适当的后处理ZnO纳米线晶体的结构将更加完善,场发射开启场、阈值场将进一步降低,电流密度和场增强因子也将随之大大提高。
来源：《材料导报》2009.19.
粤公网安备 44010602001056号