王乙潜[1] 梁文双[1] G.G.ROSS[2]

[1]青岛大学国家重点实验室培育基地,青岛市宁夏路308号青岛266071 [

2]INRS-EMT, 1650 boulevard Lionel-Boulet, Varennes, Canada J3X 1S2

摘　要：利用离子注入和后续高温退火的方法制备了包埋在二氧化硅（SiO2）基质中的硅纳米晶，研究了不同离子注入浓度试样的微观结构和发光性能，以及硅纳米晶的生长机理和发光机制．结果表明：较小的硅纳米晶（〈5nm）其生长机理符合Ostwald熟化机理，较大的纳米晶（〉10nm）则是由多个小纳米晶粒通过孪晶组合或融合而成的；离子注入浓度为8×10^16cm^-2的样品其发光强度是离子注入浓度为3×10^17cm^-2样品发光强度的5倍；硅纳米晶内部的微观结构缺陷（如孪晶和层错）对其荧光强度有很大的影响．

来源：《 材料研究学报 》 2009年4期