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一种基于二维半导体材料的低压场效应晶体管
所属：专利 日期：2014-11-03 点击次数：946 次
申请(专利)号： CN201410265041.3
摘要：本发明涉及一种基于二维半导体材料的低压场效应晶体管，包括：栅区、源区、漏区、沟道区和衬底。所述栅介质为对电子绝缘、对离子导电的无机多孔材料，所述栅介质同时含有正、负两种离子。本发明采用对离子导电、对电子绝缘的固态多孔材料作为栅介质层，栅介质与沟道区的界面形成一个理论厚度只有1nm的双电层电容，使得器件工作电压大大减低，同时采用少层二维半导体材料作为沟道区材料，使得器件可以同时实现电子导电和空穴导电。
粤公网安备 44010602001056号