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钼材料
所属：专利 日期：2014-02-14 点击次数：1084 次
申请号:CN201280014329.2
摘 要:本发明的课题在于提供一种钼材料，其具有如下所述的工业性优势：该钼材料能够在低于以往的温度下引起二次再结晶，并且能够使得二次再结晶后的组织由晶界少的巨大的晶粒构成且耐蠕变特性优异。本发明的钼材料沿着板厚方向距表面相当于总厚度的5分之1的深度的区域中，至少一部分具有如下所述的部分：进行X射线衍射测定的情况下，该部分存在有晶体衍射面(110)和(220)各自的峰强度小于(211)的峰强度的区域。
粤公网安备 44010602001056号