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多孔硅材料的制备方法及由该方法制得的多孔硅材料
所属：专利 日期：2012-06-19 点击次数：859 次
申请号: CN201010568125.6
摘 要: 本发明提供一种多孔硅材料的制备方法，其包括如下步骤：提供一基材；在该基材的表面形成一预制层，该预制层中含有硅和金属M，所述金属M为钙、铝及镁中的一种或以上，该金属M的质量百分含量为10～50％；采用电化学蚀刻法去除所述预制层表层的金属M，使预制层的表层部分形成一多孔硅层，该电化学蚀刻法中所使用的电解液为盐酸、硫酸、甲酸、乙酸和草酸中的一种。所述多孔硅材料的制备方法绿色环保。本发明还提供一种上述方法制得的多孔硅材料。
粤公网安备 44010602001056号