一种新型SOI材料及其制备方法
所属：专利 日期：2011-10-24 点击次数：469 次
申请号: CN201110186103.8
摘 要: 本发明涉及一种新型SOI材料包括一半导体衬底、第一绝缘层、以及第二绝缘层，其中所述第一绝缘层的材料为二氧化铈，所述第二绝缘层的材料为单晶硅，本发明还涉及该SOI材料的制备方法。本发明所述新型SOI材料的均匀性好、化学性质稳定，并且形成该SOI材料的制备工艺简单、易于控制。
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