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节能减排低碳高稳定性高温超导材料制备工艺

所属:专利    日期:2011-06-17    点击次数:433

申请号:  CN201110040529.2
摘    要:  本发明涉及一种高温超导体的制备工艺技术,其特征在于所述的高温超导体采用熔炼与活化烧结的新工艺,改变电子排列晶体结构。原材料在1050℃-1300℃熔化后重新排列,降到室温,研磨后再进入烧结炉在910-980℃烧结28h,降到室温,制成高温超导粉材。按图2的工艺技术,先制成子晶,再进入晶化炉,在1100℃烧结0.5-1h,慢降温到室温,及得到块材的高温的超导体。此工艺技术制成的高温超导体,具有高Tc和高Jc的超导性能。

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