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单晶碳化硅专用材料的制备方法
所属：专利 日期：2010-03-18 点击次数：320 次
申请号: CN200910183367.0
摘 要: 本发明是一种单晶碳化硅专用材料的制备方法，其特征在于，选取粒径不大于10目的碳化硅为原料，用纯水对原料进行水洗，洗至水清澈；然后将水洗完的碳化硅依次经氢氧化钠洗、硫酸洗、王水洗、氢氟酸洗，再水洗至中性后，干燥，然后将碳化硅置于加热装置中进行加热煅烧，即得单晶碳化硅专用材料。本发明方法可以有效去除碳化硅原料中的灰尘、油、碳、硅、二氧化硅、Cu、Fe、Al及少量惰性金属和游离碳等杂质，各步骤相辅相成，使成品单晶碳化硅专用材料的纯度达到99.99％，达到第三代半导体材料的使用要求。
粤公网安备 44010602001056号