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电子封装用镀钨SiC颗粒增强铜基复合材料的制备方法
所属：专利 日期：2010-01-27 点击次数：694 次
申请号: CN200910055976.8
摘 要: 本发明公开一种电子封装用镀钨SiC颗粒增强铜基复合材料的制备方法，原料的组分及体积百分比含量为：镀钨SiC颗粒50％-75％，添加元素0.5％-3％，Cu 基体22％-49.5％；其中所述添加元素为Fe、Co、Ni中的一种或几种。复合材料采用混粉、压制、熔渗和复压工艺制备，其中所述Cu基体分为Cu金属粉末及 Cu金属块，分别在压制坯料前后加入。本发明采用表面镀钨的SiC颗粒及添加了合金元素，极大改善了物相之间相互的润湿性，因此所制备的材料具有优良的导热率、热膨胀系数和力学性能；所采用的液相熔渗方法具有操作简单、成本低廉、材料致密度高和适合规模化生产的优势。
粤公网安备 44010602001056号