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集成电路材料的制备方法和制备装置
所属：专利 日期：2010-01-19 点击次数：308 次
申请号: CN200910181989.X
摘 要: 本发明公开了一种集成电路材料的制备方法及应用该制备方法的制备装置，含有金属性碳纳米管和半导体性碳纳米管的液体从同一个入口进入同一个容器，在所述容器中受到变换的磁场的作用后，混合的金属性碳纳米管和半导体性碳纳米管分离，分离之后的半导体性碳纳米管和金属性碳纳米管分别两个出口流出。使用本发明的制备方法和制备装置制造的半导体性碳纳米管和金属性碳纳米管的纯度高，可以大大提高使用半导体性碳纳米管的集成电路的产品良率。同时，由于本发明的制备方法简单易行，成本低廉，因此采用本发明的制备装置将可以大大降低高纯度碳纳米管的制造成本。
粤公网安备 44010602001056号