高强度氮化硅结合碳化硅材料及其制备方法
所属:专利 日期:2009-12-28 点击次数:751 次
申请号: CN200910047833.2
摘 要: 本发明涉及耐火材料技术领域,尤其涉及一种高强度氮化硅结合碳化硅材料及其制备方法,由如下重量百分比原料:76~86%的SiC,10~ 20%的Si,0.1-1%的La2O3和Y2O3的混合物,以及2~4%的木质磺酸钙纸浆,按如下工艺制备而成:称取原料;将原料混合成泥料;然后压制成生坯;再放入电阻炉,以100-150℃,干燥得素坯;再在氮气氛中,以1400~1480℃,烧制8~16h得成品。本发明同现有技术相比,依靠稀土氧化物促进β-Si3N4生成,同时超细粉作用促进烧结提高制品性能,尤其是制品强度达到300MPa,是同类产品的1.5倍,是传统碳化硅同类产品的3倍。