一种反射式GaN紫外光电阴极材料结构及其制作方法
                                                  申请号/专利号： 200810233322
      本发明提供一种反射式ＧａＮ紫外光电阴极材料结构及其制作方法，其厚度方向自下而上由衬底、非故意掺杂的ＧａＮ缓冲层、ｐ型ＧａＮ光电发射层以及Ｃｓ或Ｃｓ／Ｏ激活层构成；其中，非故意掺杂的ＧａＮ缓冲层生长在衬底上；ｐ型ＧａＮ光电发射层外延生长在所述ＧａＮ缓冲层上；Ｃｓ或Ｃｓ／Ｏ激活层吸附在ｐ型ＧａＮ光电发射层的前表面上，厚度在ｎｍ数量级。该结构采用非故意掺杂的ＧａＮ材料作为衬底材料和ｐ型ＧａＮ光电发射材料之间的缓冲层，从而获得具有零界面复合速率的ＧａＮ光电发射材料；提高了界面处电子发射到真空的几率，并最终提高了ＧａＮ紫外光电阴极的总体量子效率；由于长波长的紫外光将在ＧａＮ光电发射层与缓冲层之间的界面处吸收，因此这种零界面复合速率的材料结构能获得较高的长波紫外灵敏度。